华体会乐鱼体育:直流电机驱动操控电路规划

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  由直流电机驱动操控电路框图可以精确的看出驱动操控电路结构相对比较简略，主要由四部分电路构成，其间光电阻隔电路较简略，在此不做具体介绍。主要对直流电机驱动操控电路的其他部分进行具体介绍。

  在直流电机操控中常用H桥电路作为驱动器的功率驱动电路。因为功率MOSFET是压控元件，具有输入阻抗大、开关速度快、无二次击穿现象等特色，满意高速开关动作需求，因而常用功率MOSFET构成H桥电路的桥臂。H桥电路中的4个功率MOSFET别离采取了N沟道型和P沟道型，而P沟道功率MOSFET一般不用于下桥臂驱动电机，这样就有两种可行计划：一种是上下桥臂别离用2个P沟道功率MOSFET和2个N沟道功率MOSFET；另一种是上下桥臂均用N沟道功率MOSFET。

  相对来说，使用2个N沟道功率MOSFET和2个P沟道功率MOSFET驱动电机的计划，操控电路简略、本钱低。但因为加工工艺的原因，P沟道功率MOSFET的功能要比N沟道功率MOSFET的差，且驱动电流小，多用于功率较小的驱动电路中。而N沟道功率MOSFET，一方面载流子的迁移率较高、频率响应较好、跨导较大；另一方面能增大导通电流、减小导通电阻、削减相关本钱，减小面积。归纳考虑体系功率、牢靠性要求，以及N沟道功率MOSFET的长处，本规划选用4个相同的N沟道功率MOSFET的H桥电路，具有较好的功能和较高的牢靠性，并具有较大的驱动电流。Vm为电机电源电压，4个二极管为续流二极管，输出端并联一只小电容C6，用于下降理性元件电机发生的尖峰电压。